Для цитирования:

Крылов В.П., Богачев А.М., Пронин Т.Ю. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и неразрушающий контроль потенциальных дефектов полупроводниковой электронной компонентной базы. Радиопромышленность. 2019;29(2):35-44. https://doi.org/10.21778/2413-9599-2019-29-2-35-44

For citation:

Krylov V.P., Bogachev A.M., Pronin T.Yu. Deep level relaxation spectroscopy and nondestructive testing of potential defects in the semiconductor electronic component base. Radio industry (Russia). 2019;29(2):35-44. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2413-9599-2019-29-2-35-44