Preview

Радиопромышленность

Расширенный поиск

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и неразрушающий контроль потенциальных дефектов полупроводниковой электронной компонентной базы

https://doi.org/10.21778/2413-9599-2019-29-2-35-44

Полный текст:

Аннотация

В статье обсуждаются возможности методов релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) в полупроводниках и причины, сдерживающие их применение для промышленного контроля потенциальных дефектов полупроводниковой электронной компонентной базы (ЭКБ). Среди причин отмечаются неоднозначная интерпретация результатов косвенных измерений, отсутствие отечественной нормативной базы и программно-аппаратных средств, разнообразие алгоритмов и методик проведения измерений и обработки результатов. Предложены модели аппаратных преобразований слабых релаксационных откликов микроэлектронных барьерных структур. Изложена методика проведения и результаты экспериментальных исследований характеристик потенциальных дефектов на серийных полупроводниковых диодах методом частотно-температурного сканирования с помощью разработанных моделей. Полученные результаты свидетельствуют о возможности существенного повышения точности измерений параметров потенциальных дефектов. Сделан вывод о необходимости организации и проведения межлабораторной поверки на единых образцах для продвижения методов РСГУ в практику промышленного контроля.

Об авторах

В. П. Крылов
Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых
Россия

Крылов Владимир Павлович, д.т.н., доцент

600026, Владимир, ул. Горького, 87, тел.: +7 (915) 756-31-57



А. М. Богачев
Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых
Россия

Богачев Алексей Михайлович, магистрант

600026, Владимир, ул. Горького, 87, тел.: +7 (910) 095-90-37



Т. Ю. Пронин
Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых
Россия

Пронин Тимофей Юрьевич, аспирант

600026, Владимир, ул. Горького, 87, тел.: +7 (920) 918-53-79



Список литературы

1. Горлов М. И., Сергеев В. А. Современные диагностические методы контроля качества и надежности полупроводниковых изделий. 2-е изд. Ульяновск: УлГТУ, 2015. 406 с.

2. Кейджян Г. А. Основы обеспечения качества микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1991. 232 с.

3. Булярский С. В., Светухин В. В. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск: УлГУ, 2002. 386 с.

4. Крылов В. П. Квалигенетика полупроводниковой ЭКБ: фантастика или необходимость? Некоторые аспекты обеспечения качества полупроводниковой ЭКБ // Электронные компоненты. 2015. № 10. С. 22–25.

5. Lang D. V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. Journal of Applied Physics, 1974, vol. 45, no. 7, pp. 3023–3032.

6. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники / В.Г. Литвинов, В.В. Гудзев, О.А. Милованова, Н.Б. Рыбин // Датчики и системы. 2009. № 9. С. 71–78.

7. Гудзев В. В., Литвинов В. Г., Зубков М. В. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Вестник Рязанского государственного университета им. С.А. Есенина. 2012. Вып. 34. С. 171–181.

8. Свободный доступ к базе данных дефектов [Электронный ресурс]. URL: http://www.laplacedlts.eu/defect/ (дата обращения: 07.03.2019).

9. F 978 – 02 Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques. Current edition approved Jan 10, 2002.

10. Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 444 с.

11. Боброва Е. А., Галкин Г. Н. О разрешающей способности метода релаксационной емкостной спектроскопии. Препринт № 97. М.: ФИАН, 1990. 17 с.

12. Берман Л. С., Лебедев А. А. Об интерпретации результатов нестационарной емкостной спектроскопии глубоких центров в полупроводниковых структурах // Известия вузов. Физика. 1989. Т. 32, № 12. С. 88–90.

13. Холомина Т. А. Определение параметров глубоких уровней в полупроводниках при нестационарной спектроскопии и спектроскопии низкочастотного шума // Измерительная техника. 1998. № 12. С. 44–46.

14. Активационно-дрейфовая модель П.Т. Орешкина – основа изучения параметров глубоких центров в барьерных структурах / Т.А. Холомина, М.В. Зубков, С.А. Кострюков, В.В. Гудзев // Приложение к журналу «Вестник РГРТУ». 2009. Вып. 30, № 4. С. 34–39.

15. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989. 630 с.


Для цитирования:


Крылов В.П., Богачев А.М., Пронин Т.Ю. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и неразрушающий контроль потенциальных дефектов полупроводниковой электронной компонентной базы. Радиопромышленность. 2019;29(2):35-44. https://doi.org/10.21778/2413-9599-2019-29-2-35-44

For citation:


Krylov V.P., Bogachev A.M., Pronin T.Y. Deep level relaxation spectroscopy and nondestructive testing of potential defects in the semiconductor electronic component base. Radio industry (Russia). 2019;29(2):35-44. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2413-9599-2019-29-2-35-44

Просмотров: 102


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2413-9599 (Print)
ISSN 2541-870X (Online)