Preview

Радиопромышленность

Расширенный поиск

ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ С УЧЕТОМ ЗАРУБЕЖНОГО ОПЫТА

https://doi.org/10.21778/2413-9599-2016-3-131-142

Полный текст:

Аннотация

На основе сопоставительного анализа развития микроэлектроники в России и ведущих зарубежных странах исследуются основные направления дальнейшего развития отечественной микроэлектроники. Рассматриваются технико-экономические аспекты перехода к новым технологическим уровням, формирования перспективных транзисторных структур, СнК СБИС, 3D СБИС.

Об авторах

Б. Н. Авдонин
АО «ЦНИИ “Электроника”»
Россия

д. т. н., профессор, советник по общим вопросам, АО «ЦНИИ “Электроника”», 127299, Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12



М. В. Макушин
АО «ЦНИИ “Электроника”»
Россия

главный специалист, АО «ЦНИИ “Электроника”», 127299, Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12, тел.: 8 (495) 940-65-77



В. В. Мартынов
АО «ЦНИИ “Электроника”»
Россия

д. т. н., профессор, эксперт, АО «ЦНИИ “Электроника”», 127299, Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12



О. М. Орлов
АО «НИИМЭ»
Россия

к. т. н., начальник лаборатории, АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»), 103460, г. Москва, г. Зеленоград, 1-й Западный проезд, дом 12, стр. 1, тел.: 8 (495) 229-72-81 



А. Н. Стяжкин
АО «ЦНИИ “Электроника”»
Россия

к. э. н., начальник отдела, АО «ЦНИИ “Электроника”», 127299, Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12, тел.: 8 (495) 940-65-06



А. В. Фомина
АО «ЦНИИ “Электроника”»
Россия

д. э. н., генеральный директор, АО «ЦНИИ “Электроника”», 127299, Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12, тел.: 8 (495) 940-65-01



Список литературы

1. П окровский И. А. Как остаться в радиоэлектронной игре // Эксперт. 2015. № 18–19.

2. IHS says Moore’s Law led to trillions of dollars added to global economy. Solid State Technology // The Pulse. 2015. June 23.

3. Макушин М. В. Вклад микроэлектроники в мировую экономику // Экспресс-информация по зарубежной электронной технике. 2015. Выпуск 24 (6561). 25 июня.

4. А вдонин Б. Н., Батьковский А. М., Стяжкин А. Н. Инструментарий оценки и повышения эффективности деятельности интегрированных структур радиоэлектронной промышленности // Электронная промышленность. 2012. № 3. С. 15–24.

5. А вдонин Б. Н., Кураев Н. М., Мартынов В. В., Стяжкин А. Н. Вопросы оценки импортной зависимости предприятий радиоэлектронной промышленности при выполнении гособоронзаказа // Вопросы радиоэлектроники. 2013. Т. 3. № 2. С. 170–184.

6. Макушин М. В. Развитие fabless-индустрии КНР – опыт в копилку отечественных дизайн-центров // Радиопромышленность. 2013. Вып. 3. С. 197–212.

7. Б атьковский А. М., Батьковский М. А., Божко В. П., Стяжкин А. Н. Управление рисками инновационного развития базовых высокотехнологичных отраслей. М.: МЭСИ, 2015.

8. Макушин М., Мартынов В. Новые аспекты развития современной микроэлектроники // Электроника: наука, бизнес, технология. 2016. Вып. 3. С. 110–123.

9. К расников Г. Я., Орлов О. М. Отличительные особенности и проблемы КМОП-технологии при уменьшении проектной нормы до уровня 0,18 мкм и меньше // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. № 7–8. С. 124–128.

10. Zhihong L. Giga-scale challenges will dominate 2015. Solid State Technology // The Pulse. 2015. February 13.

11. Мартынов В. В. Аспекты развития микроэлектроники в России // Электроника. Аспекты развития. 2004. С. 32–56.

12. Макушин М. В., Мартынов В. В. Нужен ли России самодельный EUV-нанолитограф? Техника и экономика современной литографии // Фотоника. 2010. № 4. С. 6–13.

13. R. Colin Johnson. Fully-Depleted Silicon on Insulator May Be Fully Accepted in 2016 // EE Times. 12/1/2015.

14. Colin Johnson. FeFET to extend Moore's law // EDN Europe. 2015. January 16.

15. Орлов О. М. Конструктивно-технологические особенности ячеек встроенной энергонезависимой памяти, основанной на хранении заряда в технологиях с проектными номами 90 нм и менее // Интеграл. 2012. № 4 (66). С. 18–21.

16. International Technology Roadmap of semiconductors. [Электронный ресурс]. Редакция 2013 г. Адрес доступа: http://www.itrs.net/

17. R. Colin Johnson. One-Transistor SRAM Stuffs More Into CMOS // EE Times. 12/10/2015.

18. Korczynski E. 3DIC Technology Drivers and Roadmaps. Solid State Technology // The Pulse. 2015. June 23.

19. Dorsch J. TSMC Moves from 16 nm to 10 nm to 7 nm. Solid State Technology // The Pulse. 2015. September.

20. Авдонин Б. Н. Мартынов В. В. Электроника. Вчера…Сегодня. Завтра? М.: Дека, 2005. 600 с.

21. Microprocessor integrates silicon photonics. Photonics.Com. December 2015.

22. CEA-Leti and CEA-Inac pave the way for quantum information processing on SOI CMOS platform. Solid State Technology // The Pulse. 2015. December 08.


Для цитирования:


Авдонин Б.Н., Макушин М.В., Мартынов В.В., Орлов О.М., Стяжкин А.Н., Фомина А.В. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ С УЧЕТОМ ЗАРУБЕЖНОГО ОПЫТА. Радиопромышленность. 2016;26(3):131-142. https://doi.org/10.21778/2413-9599-2016-3-131-142

For citation:


Avdonin B., Makushin M., Martynov V., Orlov O., Styazhkin A., Fomina A. PERSPECTIVE DIRECTIONS OF FURTHER DEVELOPMENT OF LOCAL MICROELECTRONICS TAKING INTO ACCOUNT FOREIGN EXPERIENCE. Radio industry (Russia). 2016;26(3):131-142. (In Russ.) https://doi.org/10.21778/2413-9599-2016-3-131-142

Просмотров: 328


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2413-9599 (Print)
ISSN 2541-870X (Online)